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辐射对晶体和振荡器的影响
2024-4-10
DEI Blog_04.10.24
辐射,尤其是高水平辐射,对晶体和振荡器的性能产生显著影响。电离辐射导致原子电离,非电离辐射则通过加热效应影响电子组件。辐射可能引发晶体位移损伤、电离损伤和总电离剂量效应,导致频率变化和性能退化。同时,振荡器电路也会受到半导体阈值电压变化、泄漏电流增加和单粒子效应等影响。为减轻这些影响,需采取耐辐射材料选择、辐射屏蔽、电路设计优化等策略。理解这些影响并采取相应措施,是确保电子系统在高辐射环境中可靠运行的关键。
Read more
高精度
DEI Blog_07.25.24
DEI Blog_09.21.23
DEI Blog_03.20.24
DEI Blog_03.22.24
DEI Blog 10.07.24
PLXO
低相位噪声
DEI Blog_12.19.23
DEI Blog_12.18.23
DEI Blog_01.31.24
DEI Blog_03.18.24
DEI Blog_03.25.24
DEI Blog_01.25.24
DEI Blog_01.30.24
低重力加速度
DEI Blog_05.09.24
DEI Blog_07.04.24
DEI Blog_10.27.23
DEI Blog_11.14.24
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DEI Blog_09.23.24
DEI Blog_01.15.24
DEI Blog_01.02.24
DEI Blog_02.27.24
DEI Blog_01.23.24
限幅正弦波
24MHz到54MHz
DEI Blog_05.28.24
DEI Blog_07.19.24
CRYSTAL FILTER
DEI Blog_07.10.24